About the role
Lieu: Palaiseau, France Construisons ensemble un avenir de confiance
Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité: Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4,5 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 85 000 collaborateurs dans 65 pays.
Nos engagements, vos avantages
Une réussite portée par notre excellence technologique, votre expérience et notre ambition partagée
Un package de rémunération attractif
Un développement des compétences en continu: parcours de formation, académies et communautés internes
Un environnement inclusif, bienveillant et respectant l’équilibre des collaborateurs
Un engagement sociétal et environnemental reconnu
Votre quotidien
Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.
Rejoignez le III-V Lab, un Groupement à Intérêt Economique (GIE) constitué par 3 membres: Thales, Nokia et le CEA-Leti. Au sein du programme GaN, vous contribuerez à des projets innovants centrés sur les transistors à nitrure de gallium (GaN HEMT), des composants clés pour les systèmes de télécommunications, de défense, de sécurité et du spatial. Ces technologies de pointe permettent de répondre aux enjeux de puissance et de performance dans les applications radiofréquences.
Le programme GaN avec sa dizaine de collaborateurs est en charge des thématiques liées à l’utilisation des transistors à base de nitrure du gallium (GaN) pour les applications radiofréquences de puissance. Ces transistors sont dits « HEMT » pour High Electronic Mobility Transistor. Le programme GaN est organisé sur trois activités essentielles: concep…
